设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
A: 截止
B: 可变电阻
C: 放大
D: 击穿
A: 截止
B: 可变电阻
C: 放大
D: 击穿
举一反三
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（ ）状态。
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于 （ ）状态。 A: 截止 B: 导通 C: 可变电阻 D: 反向击穿
- 设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（ ） A: 截止区 B: 导通状态 C: 开关状态 D: 可变电阻区
- 当uGS增大到uGS(th)时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSuGS(th),uGD< uGS(th) ; C: uGSuGS(th) 。