一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（ ）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img]
A: VP=-4V ,IDSS=0
B: VT=-4V, IDSS=0
C: VP=-4V, IDSS=3mA
D: VT=-4V, IDSS=3mA
A: VP=-4V ,IDSS=0
B: VT=-4V, IDSS=0
C: VP=-4V, IDSS=3mA
D: VT=-4V, IDSS=3mA
举一反三
- 图所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。[img=400x400]17e447c4cf53bf4.png[/img]
- 图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。
- 场效应管导电移特性曲线图3-3（a）所示，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型，VP或（VT）（________）；Idss=（________）mA。
- 有下列条件（）就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。 A: VDS和VGS B: VDS和ID C: VP和IDSS D: VT和IDSS
- 场效应管导电移特性曲线图所示，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型（JFET，增强MOS、耗尽MOS），VP或（VT）=（________）；Idss=（________）mA。[img=255x361]17e447c4c277c31.png[/img]