有下列条件()就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。
A: VDS和VGS
B: VDS和ID
C: VP和IDSS
D: VT和IDSS
A: VDS和VGS
B: VDS和ID
C: VP和IDSS
D: VT和IDSS
C
举一反三
- 一场效应管的转移特性曲线如上图,则它的VT或VP、IDSS分别为( )。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA
- 图3-3(b)所示场效应管转移特性曲线,判别以下内容:该管为(________) 沟道(________) 型,Vp(或VT)=(________) V,Idss=(________) mA。
- 场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
- 场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
- 场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
内容
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图所示场效应管转移特性曲线,判别以下内容:该管为(________) 沟道(________) 型,Vp(或VT)=(________) V,Idss=(________) mA。[img=400x400]17e447c4cf53bf4.png[/img]
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场效应管导电移特性曲线图3-3(a)所示,判别以下内容:该管为(________)沟道(________)型,VP或(VT)(________);Idss=(________)mA。
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对于N沟道JFET,对应栅源电压vGS ,漏源电压vDS,夹断电压vP,描述正确的是 。 A: vGS=0,vDS=0时,沟道不存在,漏极电流iD=0 B: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD=0 C: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流饱和 D: vGS=0,vDS>∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD继续增大
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一场效应管漏极特性如图3-1所示,则(1)该场效应管管型为(________);(2)夹断电压Vp或开启电压VT(________);(3)Idss=(________)。
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结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSS