N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管...m与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大
举一反三
- N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管时，在SiQ2绝缘层中掺入大量正离子，因此即使uGS=0，在正离子作用下P型跨导gm与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 5、下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（ ）。 A: 结型场效应管 B: 耗尽型P沟道MOS管 C: 增强型N沟道MOS管 D: 耗尽型N沟道MOS管
- 某场效应管的特性曲线如图所示，该管为： A: P沟道增强型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道结型场效应管 D: N沟道耗尽型MOS管