普通锗二极管的死区电压约为 V，正向导通后管压降约为 V
举一反三
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
- 二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。