IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加。()
A: Na+
B: Ca2+
C: K+和Cl-,尤其是Cl-
D: Na+,K+和Cl-,尤其是K+
E: Na+和Ca2+
A: Na+
B: Ca2+
C: K+和Cl-,尤其是Cl-
D: Na+,K+和Cl-,尤其是K+
E: Na+和Ca2+
举一反三
- IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加。() A: Na+ B: Ca2+ C: K+和Cl-,尤其是Cl- D: Na+,K+和Cl-,尤其是K+ E: Na+和Ca2+
- IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加。() A: Na+ B: Ca2+ C: K+和Cl-,尤其是Cl- D: Na+,K+和Cl-,尤其是K+ E: Na+和Ca2+
- IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（） A: Na+ B: Ca2+ C: K+、Cl-，尤其是Cl- D: Na+、K+、Cl-，尤其是K+ E: Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
- IPSP的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性( ) A: Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ B: Na+、K+、Cl-,尤其是K+ C: Na+、K+、Cl-,尤其是Cl- D: K+和Ca2+ E: K+、Cl-,尤其是Cl-
- 抑制性突触后电位是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的，主要是 A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na + C: Ca2+、Na+、Cl-，尤其是Cl- D: K+，Cl-，尤其是Cl-