IGBT的反向耐压较低，目前IGBT模块总是将二极管同IGBT（）封装在一起。
A: 并联
B: 串联
C: 反并联
D: 以上选项都不正确
A: 并联
B: 串联
C: 反并联
D: 以上选项都不正确
举一反三
- IGBT往往和快速二极管（ ）封装在一起，组成逆导器件。 A: 正向并联 B: 反向并联 C: 正向串联 D: 反向串联
- IGBT具有寄生的反并联二极管
- IGBT具有寄生的反并联二极管 A: 正确 B: 错误
- 变频器主电路逆变桥功率模块中每个IGBT均与一个普通二极管反并联。
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是( )。 A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行 B: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行 D: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用