PN结光生伏特效应（）。
A: 电子集中的P区
B: 电子集中的N区结表面
C: 电子集中的P区表面
D: 电子集中的N区表面
A: 电子集中的P区
B: 电子集中的N区结表面
C: 电子集中的P区表面
D: 电子集中的N区表面
举一反三
- 当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。 A: P区； B: N区； C: 结区； D: 中间区。
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
- 18.在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的( )向P区运动,P区的( )向N区运动,正确的是( )。 A: 多子 多子 B: 少子 电子 C: 多子 少子 D: 电子 空穴
- 平衡PN结形成过程中 A: N区的电势比P区高 B: N区的电势能比P区高 C: N区的空穴向P区扩散 D: N区的电子向P区漂移