平衡PN结形成过程中
A: N区的电势比P区高
B: N区的电势能比P区高
C: N区的空穴向P区扩散
D: N区的电子向P区漂移
A: N区的电势比P区高
B: N区的电势能比P区高
C: N区的空穴向P区扩散
D: N区的电子向P区漂移
举一反三
- 平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
- 平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了
- 在PN结中，P区的电势比N区高
- 半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ） A: N区的电子向P区扩散 B: N区的空穴向P区扩散 C: P区的电子向N区扩散 D: P区的空穴向N区扩散
- 在PN结中，P区的电势比N区高（ ）； A: Yes B: No