关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-30 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。 答案： 查看 举一反三 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（） A: 积累，无 B: 耗尽，无 C: 反型，有 D: 积累，有 NPN增强型MOSFET的栅压大于阈值电压时，其栅极下方半导体层的表面处于（ ） A: 多子积累状态 B: 多子耗尽状态 C: 少子反型状态 D: 不确定 以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带 热平衡时，均匀掺杂非简并的p型半导体，表面电势小于零时，半导体表面多子发生积累。 中国大学MOOC: 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态， 导电沟道。（）
