影响肖特基势垒电流电压特性的非理想因素有(
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A: 表面态
B: 镜像力
C: 大注入
D: 势垒区的产生与复合
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A: 表面态
B: 镜像力
C: 大注入
D: 势垒区的产生与复合
A,B
举一反三
- 影响pn结电流电压特性的非理想因素主要有哪些?(<br/>) A: 势垒区产生电流; B: 势垒区复合电流; C: 大注入; D: 表面态;
- 势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。
- 势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。 A: 正确 B: 错误
- 导致pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素包括： A: 表面效应。 B: 势垒区中的产生及复合。 C: 大注入条件。 D: 串联电阻效应。
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，d段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]180315a40d94590.jpeg[/img] A: 势垒区复合电流 B: 势垒区扩散电流 C: 大注入 D: 体电阻分压
内容
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下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]18036f7e753ba21.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入
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下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]17de937ff881f5c.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入
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pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。 A: 体电阻上压降 B: 势垒区的产生与复合 C: 大注入条件 D: pn结反向击穿
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pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。 A: 体电阻上压降 B: 势垒区的产生与复合 C: 大注入条件 D: pn结反向击穿
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双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（ ）