产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
举一反三
- 发光二极管所用的半导体材料是什么跃迁类型的 A: 间接跃迁 B: 既可以是直接跃迁，又可以是电子跃迁 C: 直接跃迁 D: 无跃迁
- 关于半导体直接跃迁和间接跃迁说法错误的是 A: 跃迁种类是半导体的固有性质 B: Ⅳ主族的元素半导体都是间接跃迁半导体 C: Ⅲ-Ⅴ族形成的二元化合物半导体都是直接带隙半导体 D: 跃迁种类不同，吸光系数和半导体禁带宽度间的关系不同
- 半导体对光的吸收过程中，直接跃迁比间接跃迁所需能量要低。
- 关于本征跃迁，以下说法正确的是？ A: 本征跃迁是本征吸收的逆过程 B: 对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁 C: 直接跃迁过程中只有光子和电子参与 D: 对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁 E: 间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与 F: 间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
- 半导体对光的吸收过程中，直接跃迁比间接跃迁所需能量要低。 A: 正确 B: 错误