理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？
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举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]180341652f3677a.png[/img] B: [img=51x23]1803416536f69c8.png[/img] C: [img=51x23]180341653fcb78d.png[/img] D: [img=59x23]180341654824dee.png[/img]
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- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1802f26a33c524f.png[/img] B: [img=51x23]1802f26a3c15979.png[/img] C: [img=51x23]1802f26a4488d48.png[/img] D: [img=59x23]1802f26a4cd5885.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1802f26a82cc4cb.png[/img] B: [img=51x23]1802f26a8b38488.png[/img] C: [img=51x23]1802f26a93318a1.png[/img] D: [img=59x23]1802f26a9b0f2ea.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]18030807d63983b.png[/img] B: [img=51x23]18030807de04fe2.png[/img] C: [img=51x23]18030807e65ceb1.png[/img] D: [img=59x23]18030807ef2bd47.png[/img]