理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？
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举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]180341652f3677a.png[/img] B: [img=51x23]1803416536f69c8.png[/img] C: [img=51x23]180341653fcb78d.png[/img] D: [img=59x23]180341654824dee.png[/img]
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- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1803809cc649c6c.png[/img] B: [img=51x23]1803809cceedc8e.png[/img] C: [img=51x23]1803809cd76260f.png[/img] D: [img=59x23]1803809cdfe2084.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]18030807d63983b.png[/img] B: [img=51x23]18030807de04fe2.png[/img] C: [img=51x23]18030807e65ceb1.png[/img] D: [img=59x23]18030807ef2bd47.png[/img]