由P型半导体构成的理想MIS结构中，在外加偏压下，当半导体表面处电子浓度超过空穴浓度时，这种现象叫做载流子反型。
举一反三
- 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
- 在N型半导体中,电子浓度____空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度____空穴浓度
- p型半导体中载流子既有电子也有空穴，只是浓度不同。
- 由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。 A: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压 B: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压 C: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压 D: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
- 在本征半导体中，空穴浓度电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度电子浓度。（A．大于，B．小于，C．等于）