关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 A: 正确 B: 错误 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 A: 正确 B: 错误 MIS结构的电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的并联 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。
