中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。
错
举一反三
内容
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中国大学MOOC:对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
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对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
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由P型半导体构成的理想MIS结构中，在外加偏压下，当半导体表面处电子浓度超过空穴浓度时，这种现象叫做载流子反型。
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中国大学MOOC: 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？
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中国大学MOOC: 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？