中国大学MOOC:制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
举一反三
- 中国大学MOOC: 热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅 发生的硅的氧化反应。
- 热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。
- STI的工艺过程:1,淀积氮化硅层2,淀积一层电氧层3,用应掩膜刻蚀浅槽,离子注入4,光刻定义需要隔离的区域5,热氧化的方法在槽底部生长一层薄热氧化层6,用CVD方法淀积比较厚的介质,淀积之后用CMP方法去除多余介质,用氮化硅一层作为CMP截止层,用湿法将氮化硅去掉 A: 1-2-3-4-5-6 B: 2-1-4-3-5-6 C: 1-2-4-3-5-6 D: 2-1-3-4-5-6
- 硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。
- 简述常规热氧化办法制备SiO