硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。
举一反三
- 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
- 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。 A: 正确 B: 错误
- 氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。
- STI的工艺过程:1,淀积氮化硅层2,淀积一层电氧层3,用应掩膜刻蚀浅槽,离子注入4,光刻定义需要隔离的区域5,热氧化的方法在槽底部生长一层薄热氧化层6,用CVD方法淀积比较厚的介质,淀积之后用CMP方法去除多余介质,用氮化硅一层作为CMP截止层,用湿法将氮化硅去掉 A: 1-2-3-4-5-6 B: 2-1-4-3-5-6 C: 1-2-4-3-5-6 D: 2-1-3-4-5-6
- 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。