假设NEMOSFET已工作在饱和区，若[img=27x17]180305b47f0d2b2.png[/img]继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
举一反三
- 假设NEMOSFET已工作在饱和区，若[img=27x17]180305b588e4a7f.png[/img]继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]17de937fd746675.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]17de937fe3baa07.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（） A: 漏端，漏端 B: 漏端，源端 C: 源端，漏端 D: 源端，源端