当[img=62x22]180305b47f1c6b3.png[/img]时，能够导通的MOS管为（ ）。 A: NEMOSFET B: NDMOSFET C: PEMOSFET D: PDMOSFET

​当[img=62x22]180305b566730a6.png[/img]时，能够导通的MOS管为（ ）。‏ A: NEMOSFET B: NDMOSFET C: PEMOSFET D: PDMOSFET

假设NEMOSFET已工作在饱和区，若[img=27x17]180305b47f0d2b2.png[/img]继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

‌假设NEMOSFET已工作在饱和区，若[img=27x17]180305b588e4a7f.png[/img]继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。​‌​

中国大学MOOC: NEMOSFET饱和区的工作条件为http://img2.ph.126.net/dJ8qGP39VGya1jZ6O7gSEQ==/2120069524684880843.png http://img1.ph.126.net/DXz3P3yAAPxMCyIGQeZ5YQ==/6608591549004212209.png，http://img1.ph.126.net/Vco_5uwMSR9d6KUF5THRjg==/3765290763558702868.png http://img2.ph.126.net/4k3r2ITby6psTeca_6LIsw==/6608212217494610744.png。