离子注入与扩散相比，哪种工艺温度更低
A: 离子注入
B: 扩散
C: 不确定
A: 离子注入
B: 扩散
C: 不确定
举一反三
- 离子注入与扩散相比，哪种工艺造成的杂质的横向扩散更小。 A: 离子注入 B: 扩散 C: 不确定
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（ ）
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应