离子注入与扩散相比，哪种工艺造成的杂质的横向扩散更小。
A: 离子注入
B: 扩散
C: 不确定
A: 离子注入
B: 扩散
C: 不确定
举一反三
- 离子注入与扩散相比，哪种工艺温度更低 A: 离子注入 B: 扩散 C: 不确定
- 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
- 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 A: 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 B: 横向扩散现象很小 C: 很好的杂质均匀性 D: 注入杂质的纯度高，属于低温工艺
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法
- 与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（ ）