离子注入工艺过程中，下列避免通道效应的方法不包括
A: 晶圆倾斜注入
B: 晶圆表面生长屏蔽氧化层
C: 充分利用表面非晶态薄层
D: 高温退火
A: 晶圆倾斜注入
B: 晶圆表面生长屏蔽氧化层
C: 充分利用表面非晶态薄层
D: 高温退火
举一反三
- 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 A: 偏转注入或倾斜硅片 B: 在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化 C: 提高离子注入的速度 D: 衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）
- 离子注入时，避免沟道效应的措施有。 A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度 B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化 C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层 D: 降低靶的温度。
- 如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（ ）。 A: 增加注入剂量 B: 表面用<img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202103/007de9cb64964bd1b98c102062d405ff.png">掩膜 C: 表面预非晶化 D: 增加注入能量
- 抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。 A: 倾斜衬底 B: 升高衬底温度 C: 降低离子注入能量 D: 衬底表面沉积非晶薄膜
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法