抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
A: 倾斜衬底
B: 升高衬底温度
C: 降低离子注入能量
D: 衬底表面沉积非晶薄膜
A: 倾斜衬底
B: 升高衬底温度
C: 降低离子注入能量
D: 衬底表面沉积非晶薄膜
举一反三
- 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 A: 偏转注入或倾斜硅片 B: 在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化 C: 提高离子注入的速度 D: 衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）
- 离子注入时，避免沟道效应的措施有。 A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度 B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化 C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层 D: 降低靶的温度。
- 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应，< B: 沟道效应，> C: 横向效应，< D: 横向效应，>
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。