关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 离子注入后退火再分布的目的是和使杂质达到预期分布并有电活性。 离子注入后退火再分布的目的是和使杂质达到预期分布并有电活性。 答案： 查看 举一反三 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入 离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。 使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入 离子注入在非晶靶中典型的杂质分布无规律可循，一直属于随机分布。 中国大学MOOC: 离子注入后，杂质的浓度分布基本符合
