3、光刻的目的是将电路图形转移到 。刻蚀工艺是在没有光刻胶保护的地方 。
覆盖于硅表面的光刻胶上、留下永久的图形
举一反三
内容
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刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移? ( ) A: 氧化 B: 光刻 C: 抛光 D: 离子注入
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中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
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典型的图形转移工艺的主要步骤是 旋涂光刻胶- 曝光 - ______ - 刻蚀 - 去除光刻胶
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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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光刻和刻蚀的目的是什么？