关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 采用图形衬底可使外延层按ELOG外延横向过生长的机制生长,减少位错密度,提高内量子效率。(<br/>) 采用图形衬底可使外延层按ELOG外延横向过生长的机制生长,减少位错密度,提高内量子效率。() 答案： 查看 举一反三 在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。(<br/>) 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。 半导体材料的外延生长需要选取合适晶体结构和晶向的单晶衬底材料,其会影响或者说决定衬底之上外延层的晶体结构和择优生长取向。(<br/>) 薄膜外延生长技术是指在单晶衬底上,定向地生长与衬底晶体结构相同或类似的晶态薄层。如果生长材料与衬底成分相同,称为______ 外延;生长材料与衬底成分不同,称为______ 外延。 中国大学MOOC: 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
