PECVD运行工艺时，使用的气体（）
A: N
B: SiH
C: NH
D: 以上皆是
A: N
B: SiH
C: NH
D: 以上皆是
举一反三
- 在PECVD镀膜过程中，改变以下哪个参量可增加折射率（）。 A: 增加SIH B: 增加NH C: 增加N D: 增加时间
- 半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A: SiH B: SiH C: SiH D: SiH
- 下列化合物存在氢键的是（） A: NH B: SiH C: O D: HS
- 下列分子中偶极矩最小的是（） A: NH B: PH C: HS D: SiH
- 下列顺序排列中不正确的是（）。 A: 沸点：HI＞HBr＞HCl＞HF\n B: 熔点：PF\n＞PCl\n＞PBr\n＞PI\n C: 化合物数目种类：C＞H＞Si＞S\n D: 热稳定性：SiH\n＜NH\n＜PH\n＜H\nO