在硅的同质外延中，外延层中杂质来源很多，下列哪些属于自掺杂（ ）
A: N(衬底)
B: N(气)
C: N(邻片)
D: N(扩散)
A: N(衬底)
B: N(气)
C: N(邻片)
D: N(扩散)
举一反三
- 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
- PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延