关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 多晶硅的干法刻蚀所采用的等离子体为: A: Cl* B: F* C: Ar* D: P* 多晶硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A: Cl*B: F*C: Ar*D: P* 答案： 查看 举一反三 多晶硅的干法刻蚀所采用的等离子体为: A: 含氯自由基Cl* B: 含氟自由基F* C: 氩离子Ar* D: 磷离子P* 干法刻蚀是利用 进行薄膜刻蚀的技术 A: 、等离子体 B: 、离子 C: 、光子 D: 、电子 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。 A: CF B: BCl C: Cl D: F E: CHF （）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀 三种干法刻蚀方法中，选择性最好的是 。 A: 等离子刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 反应离子刻蚀 D: 湿法刻蚀
