LPCVD通常利用硅烷（或乙烷）作为源气体，在低压条件下热分解气体源，从而直接在衬底上沉积得到多晶硅薄膜。
举一反三
- 制备多晶硅薄膜最常用的方法，就是在真空条件下，将SiH4等和H2的混合气体在一定的压力、温度、气体配比等条件下分解，然后再加热（300-1200℃），在衬底上沉积得到多晶硅薄膜，这就是所谓的化学气相沉积（CVD）法。
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。 A: 正确 B: 错误
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 柔性无机器件通常是在玻璃衬底上沉积薄膜；而柔性有机器件通常是在硅衬底或Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上沉积薄膜。