PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。
举一反三
- PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。 A: 正确 B: 错误
- LPCVD和PECVD的不同包括: A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量 B: PECVD主要采用等离子体提供能量 C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积 D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
- PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是 A: 温度比较低 B: 薄膜制备的纯度比较高 C: 淀积速度比较快 D: 淀积的薄膜结构比较致密
- 采用LPCVD或PECVD方法可以制备下列哪种薄膜： A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶介质 D: 二氧化硅
- 高温回流平坦化一般应用于: A: 金属间介质 B: 层间介质 C: 金属前介质 D: 金属介质