关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。A: 元器件的组成部分（如栅氧化层）B: 源漏极C: 互连层间绝缘介质D: 作为掩蔽膜 答案： 查看 举一反三 题6、集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜 单晶硅片出厂前需氧化形成一层二氧化硅膜层，作为集成电路的绝缘层或隔离介质。（ ） 二氧化硅的作用有哪些？ A: 选择性扩散的掩蔽层 B: 器件的保护和钝化层 C: 隔离和绝缘介质 D: MOS管的绝缘栅材料 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷 去膜工艺中的“膜”是指： A: ITO膜 B: 二氧化硅层 C: 光刻胶 D: 保护膜
