二氧化硅膜的质量要求有（）。
A: A薄膜表面无斑点
B: B薄膜中的带电离子含量符合要求
C: C薄膜表面无针孔
D: D薄膜的厚度达到规定指标
E: E薄膜厚度均匀，结构致密
A: A薄膜表面无斑点
B: B薄膜中的带电离子含量符合要求
C: C薄膜表面无针孔
D: D薄膜的厚度达到规定指标
E: E薄膜厚度均匀，结构致密
举一反三
- 二氧化硅膜的质量要求有（）。 A: A薄膜表面无斑点 B: B薄膜中的带电离子含量符合要求 C: C薄膜表面无针孔 D: D薄膜的厚度达到规定指标 E: E薄膜厚度均匀，结构致密
- 四探针法可以用来确定________和薄膜电阻。 A: 薄膜厚度 B: 电阻率 C: 薄膜质量 D: 薄膜成分
- PECVD工序的目的是为了在硅表面形成一层致密的薄膜，薄膜的组成部分主要是？ A: 二氧化硅 B: 二氧化钛 C: 氮化硅 D: 氢原子
- 薄膜等倾干涉条纹定域在() A: 薄膜前表面； B: 薄膜后表面； C: 距薄膜无穷远； D: 在薄膜附近。
- 磁控溅射能够精确控制镀层的厚度、组成薄膜的颗粒大小，薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好。