以下哪些是磁控溅射的特点
A: 溅射参数不易独立控制，工艺重复性差
B: 基片温升低，辐照损伤小
C: 工作气压较低，靶电流密度高
D: 基板的温升高，辐照损伤大
A: 溅射参数不易独立控制，工艺重复性差
B: 基片温升低，辐照损伤小
C: 工作气压较低，靶电流密度高
D: 基板的温升高，辐照损伤大
A,B,C
举一反三
- ① 磁控溅射与直流二极溅射相比有什么优点？ A: 、电子能量小，致使基片的温升较低 B: 、溅射速率高 C: 、对基板的损伤小 D: 、靶上所加的电压更高
- 磁控溅射与二级溅射相比的特点是（ ）。 A: 靶材利用率高 B: 镀膜速率慢 C: 基片温度低、损伤小 D: 结构简单
- 常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。
- ⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是 A: 、直流二极溅射 B: 、射频二极溅射 C: 、磁控溅射
- 以下方法中不是常见的溅射方法的是： 。 A: 磁控溅射 B: 直流溅射 C: 射频溅射 D: 刻蚀溅射
内容
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与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？
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<p>⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是</p>
- 2
通常,溅射率随着靶材元素原子序数的增大而______ （增大/减小）,惰性气体的溅射率最______ （高/低）。
- 3
下列溅射设备中可以制备绝缘体的是(<br/>)。 A: 直流溅射 B: 高频溅射 C: 磁控溅射 D: 反应溅射
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大规模镀制化合物薄膜最适合采用的溅射方法是： 。 A: 二级溅射 B: 磁控溅射 C: 射频溅射 D: 反应溅射