LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
- ()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
- LPCVD和PECVD的不同包括: A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量 B: PECVD主要采用等离子体提供能量 C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积 D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
- 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
- 低压化学气相淀积的英文缩写是（）。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: HDPCVD