10湿法刻蚀后需要测试的项目有:
A: 亲水性
B: 边缘绝缘性能
C: 硅片厚度
D: 刻蚀减薄量
A: 亲水性
B: 边缘绝缘性能
C: 硅片厚度
D: 刻蚀减薄量
举一反三
- 下列哪些不是刻蚀的关键控制点（） A: 减薄量 B: 边缘电阻 C: 湿重 D: 亲水性
- 清洗工序减薄量的计算方式（）。 A: （刻蚀前重量-刻蚀后重量）*刻蚀因子 B: 刻蚀前重量-刻蚀后重量 C: 刻蚀后重量*刻蚀因子 D: 刻蚀前重量*刻蚀因子
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- 采用无机碱（KOH/NaOH）在刻蚀工艺中对扩散后硅片背面及边缘进行刻蚀抛光，替代传统酸抛光刻蚀工艺，能够取得更好的抛光性能，并降低工艺成本。
- 刻蚀工序中，检测刻蚀质量的方法有（ ） A: 刻蚀量测量 B: 边缘导电类型测量 C: 边缘电阻测量 D: 目测外观