硅的导带极小值位于布里渊区的 方向上,根据晶体对称性共有 个等价能谷。
A: 100> 3
B: 100> 6
C: [100] 3
D: [100] 6
A: 100> 3
B: 100> 6
C: [100] 3
D: [100] 6
B
举一反三
- 硅的导带极值位于()方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- 硅导带结构为()。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,其导带极小值位于()方向上距布里渊区边界约0.85倍处,因此属于()半导体。
- 美国参议院有()名议员?任期()年? A: 100;6 B: 150;3 C: 100;3 D: 150;6
内容
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硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
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硅的导带极值位于 A: 布里渊区中心 B: <111>方向 C: <110>方向 D: <100>方向
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硅的导带极值位于( )方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
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硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
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分布1、分布2、分布3 的标准差分别为( )。回答下面的题目:假设三个损失分布如下表所示:分布1 分布2 分布3损失结果概率损失结果概率损失结果概率300 1/3 0 1/3 0 1/2400 1/3 600 1/3 600 1/3500 1/3 900 1/3 1200 1/6分布1、分布2、分布3 的期望损失分别为( )。 A: 100 (2 / 3) 、100 14 、200 5 B: 100 (2 / 3) 、100 (17 / 3) 、100 3 C: 100 3 、100 6、200 3 D: 100 6 、200 6 、200 3