半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
A: 增加
B: 不变
C: 减小
D: 无法判断
A: 增加
B: 不变
C: 减小
D: 无法判断
举一反三
- 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
- 中国大学MOOC: 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
- 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（ ） A: 不变 B: 增加 C: 减小 D: 无法确定
- 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ） A: 不变 B: 增加 C: 减小 D: 不能确定
- PN结外加正向电压，电流值与外加电压的大小有（）关系。 A: 随外加电压的增加，正向电流减小 B: 随外加电压的增加，正向电流增大 C: 随外加电压的减小，正向电流不变 D: 随外加电压的减小，正向电流增加