半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
举一反三
- 中国大学MOOC: 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
- 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。 A: 增加 B: 不变 C: 减小 D: 无法判断
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- 在MIS结构中，如果耗尽层宽度大于强反型的最大耗尽层宽度，则其处于下列哪种状态 A: 耗尽状态 B: 深耗尽状态 C: 弱反型 D: 强反型
- 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型