MIS空间电荷层也可以叫耗尽层。
举一反三
- 弱反型区的空间电荷层厚度求解是按照耗尽层近似得到的，此时的空间电荷层电容也可以这样处理。
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- MIS结构中,以下( )状态对应的半导体空间电荷层为电中性态。jj A: 积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- P型半导体和N型半导体之间，叫空间电荷区，又叫耗尽层，也叫PN结。
- MIS结构的电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的并联