弱反型区的空间电荷层厚度求解是按照耗尽层近似得到的，此时的空间电荷层电容也可以这样处理。
举一反三
- MIS空间电荷层也可以叫耗尽层。
- 关于理想MIS电容的高频CV曲线在强反型区描述正确的是( ).jj A: 电容C可以近似为常数 B: 严格考虑下电容C随外加栅压增加而些许持续减小 C: 此时半导体空间电荷层的电容主要由该层边缘处耗尽区的充放电实现 D: 此时反型载流子的涨落已经跟不上测试信号的变化了
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- MOS电容可分为栅氧层电容和硅表面空间电荷区电容两部分
- 对PN结的空间电荷区错误称谓是（ ）。 A: 势垒层 B: 阻挡层 C: 外电场 D: 耗尽区