对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
A: 与温度无关，与杂质浓度无关
B: 与温度有关，与杂质浓度有关
C: 与温度无关，与杂质浓度有关
D: 与温度有关，与杂质浓度无关
A: 与温度无关，与杂质浓度无关
B: 与温度有关，与杂质浓度有关
C: 与温度无关，与杂质浓度有关
D: 与温度有关，与杂质浓度无关
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它与（ ）有关 A: 杂质浓度 B: 杂质类型 C: 禁带宽度 D: 温度
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积和（ ）有关 A: 杂质类型 B: 禁带宽度 C: 温度 D: 杂质浓度