n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用半导体表面通常为___状态，开启电压为___。（ ）
A: 积累，正值
B: 耗尽，正值
C: 积累，负值
D: 耗尽，负值
A: 积累，正值
B: 耗尽，正值
C: 积累，负值
D: 耗尽，负值
举一反三
- 中国大学MOOC: n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为 状态，开启电压为 。（）
- 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（） A: 积累，无 B: 耗尽，无 C: 反型，有 D: 积累，有
- P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管栅源间的开启电压分别为_________。 A: 正值，负值 B: 正值，正值 C: 负值，负值 D: 负值，正值
- P沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。N沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。
- P沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。N沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）