中国大学MOOC: n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为 状态，开启电压为 。（）
耗尽，正值
举一反三
- n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用半导体表面通常为___状态，开启电压为___。（ ） A: 积累，正值 B: 耗尽，正值 C: 积累，负值 D: 耗尽，负值
- 中国大学MOOC: 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态， 导电沟道。（）
- 制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（ ） A: 正确 B: 错误
- 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（） A: 积累，无 B: 耗尽，无 C: 反型，有 D: 积累，有
- 中国大学MOOC: N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压，而栅漏电压小于开启电压时，该MOS管工作在恒流区。（ ）
内容
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中国大学MOOC: p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。（ ）
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已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 这是P沟增强型MOS管 B: 这是N沟增强型MOS管 C: 这是P沟耗尽型MOS管 D: 这是N沟耗尽型MOS管
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中国大学MOOC:"P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。";
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中国大学MOOC: 增强型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。( )
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N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压，而栅漏电压小于开启电压时，该MOS管工作在恒流区。（ ） A: 正确 B: 错误