肖特基二极管反向漏电流大的原因是（ ）。
A: 漂移电流大
B: 耗尽层宽
C: 镜像势垒降低效应
D: 隧穿效应
A: 漂移电流大
B: 耗尽层宽
C: 镜像势垒降低效应
D: 隧穿效应
举一反三
- 对于金属/半导体肖特基二极管( ).ll A: 镜像力效应会增大反向电流 B: 镜像力效应会增大势垒电容 C: 隧道效应会增大反向电流 D: 隧道效应会增高肖特基势垒
- 影响肖特基势垒电流电压特性的非理想因素有(<br/>) A: 表面态 B: 镜像力 C: 大注入 D: 势垒区的产生与复合
- 肖特基二极管产生泄露电流的主要原因：热电子发射，___________,直接隧穿。
- 有关势垒隧穿时势垒高度和宽度的说法，下列哪些项正确？ A: 势垒越宽，隧穿的几率越大 B: 势垒越高，隧穿的几率越大 C: 势垒越窄，隧穿的几率越大 D: 势垒越低，隧穿的几率越大
- 肖特基势垒二极管的电流电压特性与pn结二极管有何不同?(<br/>) A: 肖特基势垒二极管的反向电流远大于pn结二极管的反向电流; B: 肖特基势垒二极管的开启电压小于pn结势垒二极管的开启电压; C: 肖特基势垒二极管的频率相应快于pn结势垒二极管的开启电压; D: 理想肖特基势垒二极管反向电流不饱和,而理想pn结二极管的反向电流饱和;