在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( )
A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。
B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。
C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。
D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。
B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。
C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。
D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
B
举一反三
- 如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？ A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
- N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层
- 对于理想金属-氧化层-n型半导体结构，如果要求在半导体表面形成少子反型层，要求在金属端外加电压为( ) A: >0 B: =0 C: <0 D: 《0
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
内容
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对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型
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当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，该区域可称为( )。 A: 阻挡层 B: 空间电荷区 C: 耗尽层 D: 突变层
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对于p型半导体而言，在p型半导体中（ ）是“多子”？ A: 电子 B: 中子 C: 质子 D: 空穴
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当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域? A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层
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当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？ A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层