如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？
A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。
B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。
D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。
E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。
B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。
D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。
E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
举一反三
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体
- 在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
- 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型
- 不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层