中国大学MOOC: 有限源扩散杂质分布符合
高斯函数
举一反三
内容
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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扩散中有两种不同形式的扩散规律：（）和恒定杂质总量的扩散，也叫有限源扩散。
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
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看图判断下列描述是否正确：[img=877x705]1802d23d779f4ba.png[/img] A: 是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数； B: 是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数； C: 是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数； D: 是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数。